该项目的主要研究内容包括：
1、功率半导体器件领域的全球专利分析和中国专利分析（包括申请量分析、区域分布、申请人、发明人、技术分布等）；
2、深入分析关键技术“IGBT（绝缘栅双级型晶体管）”领域的专利分布；
3、深入分析“SiC（碳化硅）材料功率半导体器件”领域的专利分布；
4、主要申请人的深入分析（初步选定三菱、英飞凌、ABB）；
5、重要专利筛选和分析；
6、技术演进、技术功效分析等。
因为一些客观原因原因，南山电子不再代理销售君耀各型TVS管等全线产品。目前南山电子已经成为佑风TVS管等全线二极管产品的原厂授牌代理商，力推国产...
进入2018年8月底，在7月份市场再出现一波上涨行情后，8月底价格大跳水，常规的0603 104贴片电容价格跌了20%。贴片电容厂家仍然乐观估计2018~2020年MLCC持续缺...
南山电子2021年放假时间安排： (1) 2 月 9 日至 2 月 18 日放假，共计 10 天。2月19日开始正常上班。 (2) 2 月 18 日（年初七）安排部分业务、跟单、库房人员值...
尊敬的各位新老客户、合作伙伴： 南山电子深圳运营中心经过十五年的稳健发展，原办公地点已不能满足公司发展需要。 自2021年2月1日起，正式乔迁至国...
大家好，今天南山电子来给大家介绍一款利用 汽车抬头显示技术 用于HUD 平视显示器 的控制芯片： S2D13V40。HUD 的全称是Head Up Display，即 平视显示器 ，以前...
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